Se divulga que Aixtron, proveedor líder mundial de equipos de deposición para la industria de los semiconductores, dijo que el Plessey ha ordenado su plataforma de reactor planetario AIX G5 + C. Plessey planea utilizar el sistema de deposición (MOCVD) metal vapor químico orgánico para aumentar la capacidad de obleas epitaxial del silicio de GaN (GaN en Si) para aplicaciones de MicroLED de próxima generación.
El AIX G5 + C MOCVD sistema proporciona un módulo de transferencia de cassette automática (C2C) oblea con dos opciones de configuración de cámara independiente de 8 * 6" o 5" * 8" GaN en Si las obleas en una cerrada de carga automática y retiro en un entorno de cassette.
Siqiang Ai dijo que la tecnología de limpieza automática de la nueva plataforma de reactor asegura que el equipo se limpia cada vez que se ejecuta, ayudando a reducir las tasas de defecto de oblea y reducir significativamente el tiempo de inactividad. El nuevo equipo también cuenta con final más rápido y enfriamiento y una mayor temperatura de descarga susceptor para reducir el tiempo de la receta.
El AIX G5 + plataforma de Reactor C apoyará los planes de Plessey para aumentar sus capacidades de MicroLED R&D solo chip utilizando tecnología patentada de GaN-en-Si de la empresa.
Plessey dice su MicroLEDs extremadamente alta densidad de píxeles y brillo y consumen muy poca energía. Estas características tienen el potencial para impactar a un número de aplicaciones existentes en las tecnologías de pantalla tradicional, como pantallas LCD y OLED. Esta pantalla de MicroLED combina una matriz de píxeles RGB de muy alta densidad con una placa base CMOS para proporcionar brillo extremadamente alto, baja potencia y fuentes de imagen marco alta velocidad para dispositivos electrónicos portátiles y cabeza montado pantallas así como la realidad aumentada y sistemas de realidad virtual.
